نتایج جستجو برای: اثر تشدیدی

تعداد نتایج: 148623  

در آزمایش رمسور-تاون­سند رفتار سطح مقطع پراکندگی الکترون­های کم انرژی از اتم های گاز نادر، مورد بررسی قرارمی­گیرد. از نقطه نظر کلاسیکی، انتظار می­رود که احتمال پراکندگی برابر با احتمال تصادم بین ذرات الکترون با گاز باشد. اما، نتایج این آزمایش نشان می­دهد که سطح مقطع پراکندگی برای انرژی­های خاصی صفر است و از این­رو، گذار بیشینه می­تواند وجود داشته باشد. طول موج های تشدیدی گذار با توصیف کوانتومی ...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
حافظ نوحی hafez noohi islamic azad university ,saveh , iranساوه- دانشگاه آزاد ساوه- گروه برق اصغر طاهری asghar taheri iran-zanjanزنجان-دانشگاه زنجان- دانشکده فنی - گروه برق محمدرضا آذرکردار mohammad reza azarkerdar islamic azad university, zanjan, iran.زنجان- دانشگاه آزاد واحد علوم و تحقیقات- گروه برق

در سیستم های امروزی استفاده از مبدل های کلیدزنی رو به افزایش می باشد.یکی از این مبدل ها، مبدل های تشدیدی بوده که به علت راندمان بالاتر نسبت به سایر مبدل ها بیشتر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از مبدل تشدیدی موازی (prc) استفاده شده است. در مدارات تشدیدی به علت تغییرات شرایط محیطی، احتمال تغییر در مقادیر پارامترهای تانک تشدید وجود دارد. این تغییرات می تواند مربوط به تغییرات مقادیر امپدان...

ژورنال: :مجله دانشگاه علوم پزشکی قم 0
سید محمد فیروزآبادی m firuzabadi tarbiat modares universityدانشگاه تربیت مدرس سیدعلی شفیعی دارابی a shafiei darabi tarbiat modares universityدانشگاه تربیت مدرس مژده قبایی m ghaba’ei tehran university of medical sciencesدانشگاه علوم پزشکی تهران کاظم رسول زاده طباطبایی k rasul zadeh tabataba’ei tarbiat modares universityدانشگاه تربیت مدرس

زمینه و هدف: اثر میدان های مغناطیسی ضعیف با فرکانس بسیار کم (elf-mfs) بر روی سیگنال های مغزی، توسط تعدادی از محققین مورد بررسی قرار گرفته است. تنها برخی از محققین اثر تشدیدی، یعنی افزایش در فرکانس سیگنال مغزی مطابق با فرکانس میدان تابیده شده را گزارش کرده اند. در اغلب این تحقیقات میدان مغناطیسی تولیدشده به صورت یکنواخت تمام نواحی سر را در برمی گیرد. مطالعه حاضر با هدف بررسی اثر تابش موضعی elf-m...

در سیستم‌های امروزی استفاده از مبدل‌های کلیدزنی رو به افزایش می‌باشد.یکی از این مبدل‌ها، مبدل‌های تشدیدی بوده که به علت راندمان بالاتر نسبت به سایر مبدل‌ها بیشتر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از مبدل تشدیدی موازی (PRC) استفاده شده است. در مدارات تشدیدی به علت تغییرات شرایط محیطی، احتمال تغییر در مقادیر پارامترهای تانک تشدید وجود دارد. این تغییرات می‌تواند مربوط به تغییرات مقادیر امپدان...

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل‌زنی تشدیدی را شبیه‌سازی نموده‌ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفه‌های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمید پاشایی عدل h pashaei adl department of physics, university of tabriz, tabriz, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز صمد روشن انتظار s roshan entezar department of physics, university of tabriz, tabriz, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز

در این مقاله صافی های چند کاناله، بر پایه ساختارهای تیو- مورس حاوی شبه مواد تک منفی مطالعه شده است. نشان داده شده است که تعداد مدهای تشدیدی در داخل گاف نوار فاز- صفر با افزایش تعداد فصل مشترک ها (m) افزایش می یابد. تعداد این مدهای تشدیدی دقیقاً برابر با تعداد فصل مشترک ها است و می توانند به عنوان صافی های m - کاناله استفاده شوند. زمانی که اتلاف در نظر گرفته شود، نتایج نشان می دهد که میدان الکتری...

ژورنال: :فیزیک اتمی و مولکولی 0

:  در آزمایش رمسور- تاون­ سند رفتار سطح مقطع پراکندگی الکترون­های کم انرژی از اتم های گاز نادر، مورد بررسی قرارمی­گیرد. از نقطه نظر کلاسیکی، انتظار می­رود که احتمال پراکندگی برابر با احتمال تصادم بین ذرات الکترون با گاز باشد. اما، نتایج این آزمایش نشان می­دهد که سطح مقطع پراکندگی برای انرژی­های خاصی صفر است و از این­رو، گذار بیشینه می­تواند وجود داشته باشد. طول موج های تشدیدی گذار با توصیف کوان...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
shahin goodarzi msc student, department of electrical engineering, school of engineering, tarbiat modares university, tehran, iran reza beiranvand 2assistant professor, of electrical engineering,, tarbiat modares university, tehran, iran mustafa mohamadian associate professor, of electrical engineering,, tarbiat modares university, tehran, iran,

در سالهای اخیر روشهای فعال مبتنی بر مبدلهای کلید-خازنی (scc)، به خاطر عدم حضور عناصر حجیم مغناطیسی، جهت بالانس باتری­ها به طور گسترده­ای مورد استفاده قرار گرفته­اند. بعلاوه، این مبدلها جهت کاهش حجم به راحتی به صورت مجتمع قابل پیاده سازی هستند. با وجود مزایای فوق، مبدلهای scc از معایبی نظیر: تعداد زیاد کلیدهای فعال، جهشهای زیاد جریان، سرعت پائین ایجاد توازن بین ولتاژ سلولها، و تلفات بالای کلیدزن...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
عصمت اسمعیلی دانشگاه شهرکرد محمد مردانی دانشگاه شهرکرد حسن ربانی دانشگاه شهرکرد

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

رسول‌زاده طباطبایی, کاظم, شفیعی دارابی, سیدعلی, فیروزآبادی, سید محمد, قبایی, مژده,

زمینه و هدف: اثر میدان‌های مغناطیسی ضعیف با فرکانس بسیار کم (ELF-MFs) بر روی سیگنال‌های مغزی، توسط تعدادی از محققین مورد بررسی قرار گرفته است. تنها برخی از محققین اثر تشدیدی، یعنی افزایش در فرکانس سیگنال مغزی مطابق با فرکانس میدان تابیده‌شده را گزارش کرده‌اند. در اغلب این تحقیقات میدان مغناطیسی تولیدشده به‌صورت یکنواخت تمام نواحی سر را در برمی‌گیرد. مطالعه حاضر با هدف بررسی اثر تابش موضعی ELF-M...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید